薄膜應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)（kSA MOS Film Stress Measurement System），又名薄膜應(yīng)力計(jì)或薄膜應(yīng)力儀！ 采用非接觸MOS激光技術(shù)；不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響；同時(shí)大大提高了測(cè)試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度。

原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀又名原位薄膜應(yīng)力計(jì)，采用非接觸激光MOS技術(shù)；不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；客戶(hù)可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量；并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響；同時(shí)提高了測(cè)試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；

kSA 400 RHEED分析系統(tǒng)，適合各種RHEED系統(tǒng)和薄膜沉積系統(tǒng)（如：脈沖激光沉積設(shè)備PLD,濺射系統(tǒng)Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積MOCVD等）！目前第四代系統(tǒng)結(jié)合新的硬件和軟件，為客戶(hù)提供豐富的RHEED分析信息。

薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)（kSA MOS Thermal-Scan 薄膜熱應(yīng)力儀，薄膜應(yīng)力計(jì)，薄膜應(yīng)力測(cè)試儀）同時(shí)KSA公司榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！

薄膜應(yīng)力測(cè)試儀采用非接觸MOS激光技術(shù)；不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響；同時(shí)大大提高了測(cè)試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析