原子層沉積系統(tǒng)，也稱為原子層外延，或原子層化學(xué)氣相沉積。
原子層沉積系統(tǒng)是在加熱的襯底上連續(xù)引入至少兩個(gè)蒸汽前驅(qū)體源，當(dāng)表面飽和時(shí)，化學(xué)吸附自動(dòng)終止。合適的工藝溫度會阻礙分子在表面的物理吸附。基本的原子層沉積周期包括四個(gè)步驟：脈沖a、清洗a、脈沖b和清洗b，重復(fù)沉積周期，直到獲得所需的膜厚，這是制造納米結(jié)構(gòu)以形成納米器件的工具。
原子層沉積系統(tǒng)的優(yōu)勢包括：
1.通過控制反應(yīng)循環(huán)次數(shù)，可以控制薄膜厚度，從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜；
2.由于前驅(qū)體被化學(xué)吸附飽和，保證生成大面積均勻薄膜；
3.可制備優(yōu)良的三維共形化學(xué)計(jì)量膜，可用作納米多孔材料的階梯覆蓋和涂層；
4.可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物；
5.薄膜生長可以在低溫(室溫至400℃以下)下進(jìn)行；
6.可廣泛應(yīng)用于各種形狀的基材；
7.生長的金屬氧化物薄膜可用于介質(zhì)、電致發(fā)光顯示絕緣體、電容器電介質(zhì)和微機(jī)電系統(tǒng)器件，生長的金屬氮化物薄膜適用于擴(kuò)散阻擋層。
原子層沉積系統(tǒng)主要特征：
1.樣品類型：粉末樣品、旗幟樣品；
2.原子層沉積系統(tǒng)可與高真空等系統(tǒng)互聯(lián)；
3.腔體發(fā)熱400℃，控溫精度1℃；
4.復(fù)雜的管道氣體回路，可有八種前驅(qū)體、兩種氧化還原氣體回路和三種載氣；
5.高溫鼓泡器的*設(shè)計(jì)可以提高低蒸氣壓固體源的反應(yīng)效率和重復(fù)性；
6.原子層沉積系統(tǒng)自動(dòng)控制系統(tǒng)，可通過自編程實(shí)現(xiàn)不同類型ALD樣品的生長；
7.模糊算法自整定的PID自動(dòng)溫度控制；
8.全金屬密封，適用于腐蝕性反應(yīng)；
9.實(shí)時(shí)測量和控制氣體流量和真空度；
10.在線原位分析氣體成分；
11.原子層沉積系統(tǒng)帶有臭氧發(fā)生器和反應(yīng)殘?jiān)鼰岱纸庋b置。
