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制造納米結構以形成納米器件少不了原子層沉積系統

 更新時間:2023-01-16 點擊量:955
  原子層沉積系統,也稱為原子層外延,或原子層化學氣相沉積。
  原子層沉積系統是在加熱的襯底上連續引入至少兩個蒸汽前驅體源,當表面飽和時,化學吸附自動終止。合適的工藝溫度會阻礙分子在表面的物理吸附。基本的原子層沉積周期包括四個步驟:脈沖a、清洗a、脈沖b和清洗b,重復沉積周期,直到獲得所需的膜厚,這是制造納米結構以形成納米器件的工具。
  原子層沉積系統的優勢包括:
  1.通過控制反應循環次數,可以控制薄膜厚度,從而達到原子層厚度精度的薄膜;
  2.由于前驅體被化學吸附飽和,保證生成大面積均勻薄膜;
  3.可制備優良的三維共形化學計量膜,可用作納米多孔材料的階梯覆蓋和涂層;
  4.可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物;
  5.薄膜生長可以在低溫(室溫至400℃以下)下進行;
  6.可廣泛應用于各種形狀的基材;
  7.生長的金屬氧化物薄膜可用于介質、電致發光顯示絕緣體、電容器電介質和微機電系統器件,生長的金屬氮化物薄膜適用于擴散阻擋層。
  原子層沉積系統主要特征:
  1.樣品類型:粉末樣品、旗幟樣品;
  2.原子層沉積系統可與高真空等系統互聯;
  3.腔體發熱400℃,控溫精度1℃;
  4.復雜的管道氣體回路,可有八種前驅體、兩種氧化還原氣體回路和三種載氣;
  5.高溫鼓泡器的*設計可以提高低蒸氣壓固體源的反應效率和重復性;
  6.原子層沉積系統自動控制系統,可通過自編程實現不同類型ALD樣品的生長;
  7.模糊算法自整定的PID自動溫度控制;
  8.全金屬密封,適用于腐蝕性反應;
  9.實時測量和控制氣體流量和真空度;
  10.在線原位分析氣體成分;
  11.原子層沉積系統帶有臭氧發生器和反應殘渣熱分解裝置。
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