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制造納米結(jié)構(gòu)以形成納米器件少不了原子層沉積系統(tǒng)

 更新時(shí)間:2023-01-16 點(diǎn)擊量:974
  原子層沉積系統(tǒng),也稱為原子層外延,或原子層化學(xué)氣相沉積。
  原子層沉積系統(tǒng)是在加熱的襯底上連續(xù)引入至少兩個(gè)蒸汽前驅(qū)體源,當(dāng)表面飽和時(shí),化學(xué)吸附自動(dòng)終止。合適的工藝溫度會阻礙分子在表面的物理吸附。基本的原子層沉積周期包括四個(gè)步驟:脈沖a、清洗a、脈沖b和清洗b,重復(fù)沉積周期,直到獲得所需的膜厚,這是制造納米結(jié)構(gòu)以形成納米器件的工具。
  原子層沉積系統(tǒng)的優(yōu)勢包括:
  1.通過控制反應(yīng)循環(huán)次數(shù),可以控制薄膜厚度,從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜;
  2.由于前驅(qū)體被化學(xué)吸附飽和,保證生成大面積均勻薄膜;
  3.可制備優(yōu)良的三維共形化學(xué)計(jì)量膜,可用作納米多孔材料的階梯覆蓋和涂層;
  4.可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物;
  5.薄膜生長可以在低溫(室溫至400℃以下)下進(jìn)行;
  6.可廣泛應(yīng)用于各種形狀的基材;
  7.生長的金屬氧化物薄膜可用于介質(zhì)、電致發(fā)光顯示絕緣體、電容器電介質(zhì)和微機(jī)電系統(tǒng)器件,生長的金屬氮化物薄膜適用于擴(kuò)散阻擋層。
  原子層沉積系統(tǒng)主要特征:
  1.樣品類型:粉末樣品、旗幟樣品;
  2.原子層沉積系統(tǒng)可與高真空等系統(tǒng)互聯(lián);
  3.腔體發(fā)熱400℃,控溫精度1℃;
  4.復(fù)雜的管道氣體回路,可有八種前驅(qū)體、兩種氧化還原氣體回路和三種載氣;
  5.高溫鼓泡器的*設(shè)計(jì)可以提高低蒸氣壓固體源的反應(yīng)效率和重復(fù)性;
  6.原子層沉積系統(tǒng)自動(dòng)控制系統(tǒng),可通過自編程實(shí)現(xiàn)不同類型ALD樣品的生長;
  7.模糊算法自整定的PID自動(dòng)溫度控制;
  8.全金屬密封,適用于腐蝕性反應(yīng);
  9.實(shí)時(shí)測量和控制氣體流量和真空度;
  10.在線原位分析氣體成分;
  11.原子層沉積系統(tǒng)帶有臭氧發(fā)生器和反應(yīng)殘?jiān)鼰岱纸庋b置。
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